BCW61B,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCW61B,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW61B,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCW61B,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW61B,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 32V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BCW61B,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW61B,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 32V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCW61BMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -32V -100mA 350mW | 功能相似 | 通用晶体管 | BCW61B,215和BCW61BMTF的区别 |
| 型号： BCW61B 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | BCW61B,215和BCW61B的区别 |