BFS505,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFS505,115中文资料参数规格
技术参数
频率 9000 MHz
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 17dB ~ 10dB
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFS505,115引脚图与封装图
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在线购买BFS505,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFS505,115 | NXP 恩智浦 | 射频双极晶体管，NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号BFS505,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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