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BAT 68-07W E6327

BAT 68-07W E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Diode Schottky 8V 0.13A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

- 射频 肖特基 - 2 个独立式 8V 130 mA 150 mW PG-SOT343-4


得捷:
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT343-4


BAT 68-07W E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 8.00 V

额定电流 130 mA

耗散功率 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAT 68-07W E6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAT 68-07W E6327 Infineon 英飞凌 Diode Schottky 8V 0.13A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R 搜索库存
替代型号BAT 68-07W E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAT 68-07W E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

Diode Schottky 8V 0.13A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

当前型号

型号: BAT68E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 8V 130mA

完全替代

Infineon 二极管 BAT68E6327HTSA1 肖特基, Io=130mA, Vrev=8V, 3引脚 SOT-23封装

BAT 68-07W E6327和BAT68E6327HTSA1的区别

型号: BAT 68 E6327

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

Diode Schottky 8V 0.13A 3Pin SOT-23 T/R

BAT 68-07W E6327和BAT 68 E6327的区别