BZX55C11-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
击穿电压 11.6 V
针脚数 2
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 11 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 0.5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZX55C11-TR引脚图与封装图
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在线购买BZX55C11-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C11-TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX55C11-TR 齐纳二极管, 500mW, 11V, DO-35 | 搜索库存 |
替代型号BZX55C11-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C11-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 11.6V | 当前型号 | VISHAY BZX55C11-TR 齐纳二极管, 500mW, 11V, DO-35 | 当前型号 |
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| 型号： BZX79C11 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 11V | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX79C11 齐纳二极管 | BZX55C11-TR和BZX79C11的区别 |
| 型号： BZX79-C11 品牌： 恩智浦 封装： DO-35 | 功能相似 | NXP BZX79-C11 单管二极管 齐纳, 11 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZX55C11-TR和BZX79-C11的区别 |