BZX55C6V8-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
击穿电压 7.20 V
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 6.8 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX55C6V8-TR引脚图与封装图
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在线购买BZX55C6V8-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C6V8-TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX55C6V8-TR Zener Single Diode, 6.8V, 0.5W1/2W, DO-35, 5%, 2Pins, 175℃ | 搜索库存 |
替代型号BZX55C6V8-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C6V8-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 7.2V | 当前型号 | VISHAY BZX55C6V8-TR Zener Single Diode, 6.8V, 0.5W1/2W, DO-35, 5%, 2Pins, 175℃ | 当前型号 |
| 型号： BZX55C6V8-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 7.2V | 完全替代 | 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX55C6V8-TR和BZX55C6V8-TAP的区别 |