
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
封装 SC-75
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847AT,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847AT,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-75 NPN 0.15W | 当前型号 | SC-75 NPN 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC847CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847AT,115和BC847CLT1G的区别 | |
型号: BC847ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847AT,115和BC847ALT1G的区别 | |
型号: BC847AWT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 NPN 45V 100mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847AWT1G 射频双极晶体管 | BC847AT,115和BC847AWT1G的区别 |