BZX55C10-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
击穿电压 10.6 V
针脚数 2
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
稳压值 10 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX55C10-TR引脚图与封装图
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在线购买BZX55C10-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C10-TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX55C10-TR 齐纳二极管, 500mW, 10V, DO-35 | 搜索库存 |
替代型号BZX55C10-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C10-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 10.6V | 当前型号 | VISHAY BZX55C10-TR 齐纳二极管, 500mW, 10V, DO-35 | 当前型号 |
| 型号： BZX55C10-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 10.6V | 完全替代 | 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX55C10-TR和BZX55C10-TAP的区别 |
| 型号： BZX79-C10 品牌： TAK Cheong 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 10V VZ, 6%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | BZX55C10-TR和BZX79-C10的区别 |