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BC857T,115

BC857T,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

TO-236AB PNP 45V 0.1A

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SC75


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BC857T,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857T,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC857T,115 NXP 恩智浦 TO-236AB PNP 45V 0.1A 搜索库存
替代型号BC857T,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857T,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT416 PNP 0.25W

当前型号

TO-236AB PNP 45V 0.1A

当前型号

型号: BC857CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

BC857T,115和BC857CLT1G的区别

型号: BC857ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW

功能相似

PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BC857T,115和BC857ALT1G的区别

型号: BC857BT-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-523 PNP 50V 100mA 150mW

功能相似

DIODES INC.  BC857BT-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE

BC857T,115和BC857BT-7-F的区别