
额定电压DC 6.20 V
容差 ±6 %
额定功率 1.00 W
击穿电压 6.20 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 35 mA
稳压值 6.2 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41-2
长度 5.2 mm
封装 DO-41-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZX85C6V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 1W,BZX85C 系列,Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZX85C6V2 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: DO-41 6.2V 6.2V | 当前型号 | 1W,BZX85C 系列,Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor | 当前型号 | |
型号: BZX85C6V2_T50A 品牌: 飞兆/仙童 封装: DO-41 6.2V | 类似代替 | Diode Zener Single 6.2V 5% 1W 2Pin DO-41 Ammo | BZX85C6V2和BZX85C6V2_T50A的区别 | |
型号: BZX85C6V2-TAP 品牌: 威世 封装: DO-41 6.2V | 功能相似 | 齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor | BZX85C6V2和BZX85C6V2-TAP的区别 |