BZV55-C9V1,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-C9V1,135中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 5.5 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55-C9V1,135引脚图与封装图
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在线购买BZV55-C9V1,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-C9V1,135 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 9.05V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号BZV55-C9V1,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-C9V1,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： DO-213AC | 当前型号 | Mini-MELF 9.05V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： BZV55-C9V1,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C | 完全替代 | NXP BZV55-C9V1,115 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZV55-C9V1,135和BZV55-C9V1,115的区别 |
| 型号： BZV55C9V1TR 品牌： 恩智浦 封装： 9.1V | 完全替代 | 9.1V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE | BZV55-C9V1,135和BZV55C9V1TR的区别 |