容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 830 mW
测试电流 5 mA
稳压值 33 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 375 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
封装 SOD-123F
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 30.4 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZT52H-B33,115 | NXP 恩智浦 | SOD-123F 33V 830mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZT52H-B33,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOD-123F | 当前型号 | SOD-123F 33V 830mW | 当前型号 | |
型号: BZT52H-C33,115 品牌: 恩智浦 封装: SOD | 类似代替 | NXP BZT52H-C33,115. 齐纳二极管, 33V, 375mW, SOD-123F-2 | BZT52H-B33,115和BZT52H-C33,115的区别 | |
型号: BZT52H-B33 品牌: 恩智浦 封装: SOD | 类似代替 | NXP BZT52H-B33 单管二极管 齐纳, 33 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZT52H-B33,115和BZT52H-B33的区别 |