BZT55C4V3 L1

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

齐纳二极管 500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

齐纳 500mW，BZT55C 系列，

小信号 500mW 密封玻璃

电压容差为 5%

表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213

### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

BZT55C4V3 L1中文资料参数规格

技术参数

测试电流 5 mA

稳压值 4.3 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.8 mm

封装 Mini-MELF

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

BZT55C4V3 L1引脚图与封装图

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