BC847BT,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BC847BT,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
长度 1.8 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-416
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BC847BT,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC847BT,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BT,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC847BT,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC847BT,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847BT,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-75 NPN | 当前型号 | NXP BC847BT,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC847ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847BT,115和BC847ALT1G的区别 |
| 型号： BC847C,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 功能相似 | NXP BC847C,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE | BC847BT,115和BC847C,215的区别 |
| 型号： BC847A,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | BC847 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23 | BC847BT,115和BC847A,215的区别 |