BZV55-C6V8,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-C6V8,135中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.5 W
测试电流 5 mA
稳压值 6.8 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 3 MV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55-C6V8,135引脚图与封装图
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在线购买BZV55-C6V8,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-C6V8,135 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 6.8V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号BZV55-C6V8,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-C6V8,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： Mini-MELF | 当前型号 | Mini-MELF 6.8V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： BZV55-C6V8 品牌： 恩智浦 封装： SOD80/LL34 | 完全替代 | 500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | BZV55-C6V8,135和BZV55-C6V8的区别 |
| 型号： BZV55C6V8 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | 500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | BZV55-C6V8,135和BZV55C6V8的区别 |