BCW67CE6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:80, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装

通用 PNP ，

得捷:
TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

欧时:
Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装

艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BCW67CE6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For general AF applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW67CE6327HTSA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BCW67CE6327HTSA1

型号	制造商	描述	购买
BCW67CE6327HTSA1	Infineon 英飞凌	Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:80, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装	搜索库存