BC847T,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BC847T,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
封装 SC-75
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC847T,115引脚图与封装图
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在线购买BC847T,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847T,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC847T,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847T,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-75 NPN 150mW | 当前型号 | SC-75 NPN 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC847BTT1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BTT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE | BC847T,115和BC847BTT1G的区别 |
| 型号： BC847AT-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-523 NPN 45V 100mA 150mW | 功能相似 | NPN三极管晶体管 | BC847T,115和BC847AT-7-F的区别 |