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BCW68FE6327HTSA1

BCW68FE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-23 PNP 45V 0.8A

Summary of Features:

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High current gain
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Low collector-emitter saturation voltage
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Complementary types: BCW66... NPN
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Pb-free RoHS compliant package1
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Qualified according AEC Q101

得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCW68FE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For general AF applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW68FE6327HTSA1引脚图与封装图
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