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BC557B-AP

BC557B-AP

数据手册.pdf

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo

晶体管 - 双极 BJT - 单 PNP 45 V 100 mA 150MHz 625 mW 通孔 TO-92


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92


艾睿:
Look no further than Micro Commercial Components&s; PNP BC557B-AP general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


BC557B-AP中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC557B-AP引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC557B-AP Micro Commercial Components 美微科 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo 搜索库存
替代型号BC557B-AP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BC557B-AP

品牌： Micro Commercial Components 美微科

封装：

当前型号

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo

当前型号

型号： BC557BZL1G

品牌： 安森美

封装： TO-92 PNP -45V -100mA 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE

BC557B-AP和BC557BZL1G的区别

型号： BC557BRL1

品牌： 安森美

封装： TO-92 PNP -45V -100mA

类似代替

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

BC557B-AP和BC557BRL1的区别

型号： BC557BRL1G

品牌： 安森美

封装： TO-92 PNP -45V -100mA 625mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC557BRL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 320 MHz, 625 mW, -100 mA, 180 hFE

BC557B-AP和BC557BRL1G的区别