BA3121F-E2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BA3121F-E2中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.45 W
供电电流 9.00 mA
通道数 2
耗散功率 450 mW
共模抑制比 57 dB
转换速率 2.00 V/μs
增益 0.04 dB
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
耗散功率Max 450 mW
共模抑制比Min 41 dB
电源电压 4V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -30℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BA3121F-E2引脚图与封装图
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在线购买BA3121F-E2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BA3121F-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 18 V 450 mW 1.5 dB 表面贴装 接地 隔离 音频放大器 - SOP-8 | 搜索库存 |
替代型号BA3121F-E2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BA3121F-E2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SIP 8Pin | 当前型号 | 18 V 450 mW 1.5 dB 表面贴装 接地 隔离 音频放大器 - SOP-8 | 当前型号 |
| 型号： BA3121 品牌： 罗姆半导体 封装： DIP-8 8Pin | 完全替代 | 地面隔离放大器 Ground isolation amplifier | BA3121F-E2和BA3121的区别 |
| 型号： BA3121F-E1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | Audio Amplifier, 2 Channels, PDSO8, SOP-8 | BA3121F-E2和BA3121F-E1的区别 |
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