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BC81840MTF

BC81840MTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
BC81840MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC81840MTF引脚图与封装图
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在线购买BC81840MTF
型号 制造商 描述 购买
BC81840MTF Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号BC81840MTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC81840MTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 0.31W

当前型号

NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: MMBT5089LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 25V 50mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5089LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

BC81840MTF和MMBT5089LT1G的区别

型号: BC818-40LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC818-40LT1G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

BC81840MTF和BC818-40LT1G的区别

型号: MMBT6429LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW

功能相似

放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon

BC81840MTF和MMBT6429LT1的区别