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BC857CE6327HTSA1

BC857CE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BC857CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

通用 PNP ,


欧时:
Infineon BC857CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 45V 0.1A


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 250 MHz, 330 mW, -100 mA, 420 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23


BC857CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 330 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 330 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For AF input stages and driver applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC857CE6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BC857CE6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BC857CE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BC857CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BC857CE6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857CE6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL PNP 330mW

当前型号

Infineon BC857CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号: BC857CB5003XT

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP

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BC857CE6327HTSA1和BC857CB5003XT的区别

型号: BC857CE6433HTMA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -45V -100mA 330mW

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SOT-23 PNP 45V 0.1A

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型号: BC860CB5003XT

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP

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BC857CE6327HTSA1和BC860CB5003XT的区别