BCW61BE6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
频率 250 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.33 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |