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BCW61BE6327HTSA1

BCW61BE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

小信号 PNP ,


得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23


欧时:
Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCW61BE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For AF input stages and driver applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW61BE6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCW61BE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存