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BCW61CE6327HTSA1

BCW61CE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCW61CE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

通用 PNP ,


得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23


欧时:
Infineon BCW61CE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP BCW61CE6327HTSA1 GP BJT from Infineon Technologies. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 32 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23


BCW61CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For AF input stages and driver applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW61CE6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCW61CE6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCW61CE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCW61CE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BCW61CE6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCW61CE6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -32V -100mA 330mW

当前型号

Infineon BCW61CE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号: BCW61CMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -32V -100mA

功能相似

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 PNP GP AMP

BCW61CE6327HTSA1和BCW61CMTF的区别