BC858B-TP
数据手册.pdfMicro Commercial Components(美微科)
电子元器件分类
BC858B-TP中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BC858B-TP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC858B-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858B-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： | 当前型号 | SOT-23 PNP 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC858BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC858BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE | BC858B-TP和BC858BLT1G的区别 |
| 型号： BC858BWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -30V -100mA 150mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC858B-TP和BC858BWT1G的区别 |
| 型号： BC858BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC858B-TP和BC858BLT3G的区别 |
