BC857C-TP中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC857C-TP引脚图与封装图
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在线购买BC857C-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857C-TP | Micro Commercial Components 美微科 | BC857C 系列 45 V 100 mA 200 mW 表面贴装 PNP 小信号 晶体管 - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号BC857C-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857C-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-236-3 PNP 200mW | 当前型号 | BC857C 系列 45 V 100 mA 200 mW 表面贴装 PNP 小信号 晶体管 - SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： BC857C-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 45V 100mA 350mW | 功能相似 | DIODES INC. BC857C-7-F 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | BC857C-TP和BC857C-7-F的区别 |
| 型号： BC857CLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 功能相似 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon | BC857C-TP和BC857CLT3G的区别 |
| 型号： BC857C,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 PNP 250mW | 功能相似 | TO-236AB PNP 45V 0.1A | BC857C-TP和BC857C,235的区别 |