BC849B-TP中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC849B-TP引脚图与封装图
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在线购买BC849B-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC849B-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 30V, 100mA,0.25W1/4W, NPN Transistor, SOT-23 / 7" REEL | 搜索库存 |
替代型号BC849B-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC849B-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-236-3 | 当前型号 | 30V, 100mA,0.25W1/4W, NPN Transistor, SOT-23 / 7" REEL | 当前型号 |
| 型号： BC848B-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 350mW | 功能相似 | DIODES INC. BC848B-7-F 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE | BC849B-TP和BC848B-7-F的区别 |
| 型号： BC848BW-TP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | SOT-323 NPN 30V 0.1A | BC849B-TP和BC848BW-TP的区别 |