BAS32L,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BAS32L,135中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @100mA
反向恢复时间 4 ns
正向电流 200 mA
正向电压Max 1V @100mA
正向电流Max 200 mA
工作结温 200℃ Max
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 Mini-MELF
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAS32L,135引脚图与封装图
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在线购买BAS32L,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS32L,135 | NXP 恩智浦 | DIODE SW 75V 200mA H-S SOD80C | 搜索库存 |
替代型号BAS32L,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS32L,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： DO-213AC | 当前型号 | DIODE SW 75V 200mA H-S SOD80C | 当前型号 |
| 型号： BAS32LT/R 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | BAS32L,135和BAS32LT/R的区别 |
| 型号： BAS32L,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C 1V | 功能相似 | NXP BAS32L,115 二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A | BAS32L,135和BAS32L,115的区别 |