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BCX19
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCX19..  晶体管, NPN

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 620mV/0.62V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN Medium Power Transistor • This device is designed for general purpose amplifiers. • Sourced from process 38 描述与应用| NPN中等功率 这个装置是专为通用放大器。 •来源于过程38

BCX19中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCX19引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCX19 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCX19..  晶体管, NPN 搜索库存
替代型号BCX19
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCX19

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA 300mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCX19..  晶体管, NPN

当前型号

型号: BCX19_D87Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor Medium Power

BCX19和BCX19_D87Z的区别

型号: BC817-16LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC817-16LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE

BCX19和BC817-16LT1G的区别

型号: BCX19LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA 0.3W

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCX19LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

BCX19和BCX19LT1G的区别