![BC856B-TP](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_36/chanpintu/bc856b-tp-O6PERoht-0nqQdDDZe.png)
频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC856B-TP 品牌: Micro Commercial Components 美微科 封装: TO-236-3 PNP 0.2W | 当前型号 | SOT-23 PNP 65V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC856B-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 350mW | 功能相似 | BC856B 系列 65 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23 | BC856B-TP和BC856B-7-F的区别 | |
型号: DTC114TKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-59 N-Channel 50V 100mA 200mW | 功能相似 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | BC856B-TP和DTC114TKAT146的区别 | |
型号: BC856,215 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia BC856,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:125, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BC856B-TP和BC856,215的区别 |