BC849BW,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BC849BW,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC849BW,115引脚图与封装图
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在线购买BC849BW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC849BW,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC849BW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC849BW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 当前型号 |
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| 型号： BC848BWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 30V 100mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC848BWT1G 晶体管 双极-射频, NPN, 30 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | BC849BW,115和BC848BWT1G的区别 |
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