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BUP213
Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT (低正向压降高开关速度低尾电流闭锁免费额定雪崩) IGBT Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated

IGBT

Preliminary data

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Avalanche rated

• Low forward voltage drop

Remark: The TO-218 AB case doesn"t solve the

standards VDE 0110 and UL 508 for creeping distance


得捷:
IGBT 1200V 32A 200W TO220


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 32A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
IGBT 1200V 32A 200W TO220


BUP213中文资料参数规格
技术参数

上升时间 70.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BUP213引脚图与封装图
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