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BAW156E6327HTSA1

BAW156E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon 二极管 BAW156E6327HTSA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装

低泄漏，

Infineon 的低泄漏二极管，提供单和双配置。 这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流


欧时:
Infineon 二极管 BAW156E6327HTSA1 低泄漏, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23


贸泽:
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode


艾睿:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BAW156E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 200 mA

输出电流 ≤200 mA

正向电压 1250 mV

耗散功率 250 mW

反向恢复时间 1.5 µs

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 4.5 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAW156E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAW156E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon 二极管 BAW156E6327HTSA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存