BCW60CE6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCW60CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC 32.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.33 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW60CE6327HTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCW60CE6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-23 NPN 32V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BCW60CE6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW60CE6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA | 当前型号 | SOT-23 NPN 32V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCW60FFE6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 330mW | 类似代替 | Infineon BCW60FFE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BCW60CE6327HTSA1和BCW60FFE6327HTSA1的区别 |
| 型号： BCW60C 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 32V 100mA 0.35W | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | BCW60CE6327HTSA1和BCW60C的区别 |