BC849BW,135
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BC849BW,135中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC849BW,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC849BW,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC849BW,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC849BW,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC849BW,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 NPN | 当前型号 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC848BW-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 NPN 200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR | BC849BW,135和BC848BW-7-F的区别 |