BAV170E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BAV170E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 200 mA
电容 2.00 µF
正向电压 1.25V @150mA
耗散功率 250 mW
反向恢复时间 1500 ns
最大正向浪涌电流（Ifsm） 4.5 A
正向电压Max 1.25 V
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAV170E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BAV170E6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAV170E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
替代型号BAV170E6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAV170E6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 80V 200mA | 当前型号 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 |
| 型号： BAV170E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 70V | 类似代替 | Infineon 二极管 BAV170E6327HTSA1 低泄漏, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装 | BAV170E6433HTMA1和BAV170E6327HTSA1的区别 |