BC859BW,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BC859BW,135中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC859BW,135引脚图与封装图
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在线购买BC859BW,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC859BW,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 PNP 30V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC859BW,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC859BW,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 PNP 200mW | 当前型号 | SC-70 PNP 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC858BW-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | BC859BW,135和BC858BW-7-F的区别 |
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