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BCR148E6433HTMA1

BCR148E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-23 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23


BCR148E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 100 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR148E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BCR148E6433HTMA1
型号 制造商 描述 购买
BCR148E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 SOT-23 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号BCR148E6433HTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR148E6433HTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 200mW

当前型号

SOT-23 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: MUN2213JT1

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA

功能相似

SC-59 NPN 50V 100mA

BCR148E6433HTMA1和MUN2213JT1的区别

型号: MUN2213JT1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA

功能相似

SC-59 NPN 50V 100mA

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