BZX84C18
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BZX84C18中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 18.0 V
电容 100 pF
容差 ±6 %
额定功率 350 mW
击穿电压 18.0 V
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 350 mW
测试电流 5 mA
稳压值 18 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX84C18引脚图与封装图 
BZX84C18引脚图
BZX84C18封装焊盘图
在线购买BZX84C18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX84C18 | Fairchild 飞兆/仙童 | 350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号BZX84C18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX84C18 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 18V 18V | 当前型号 | 350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： BZX84C18_D87Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 18V | 完全替代 | Diode Zener Single 17.95V 5% 0.25W1/4W 3Pin SOT-23 T/R | BZX84C18和BZX84C18_D87Z的区别 |
| 型号： BZX84C18LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 18V 19.1V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BZX84C18LT1G 单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C | BZX84C18和BZX84C18LT1G的区别 |
| 型号： BZX84C18LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 18V | 功能相似 | 225mW，BZX84，SZBZX84 系列，On Semiconductor### Zener Diodes, ON Semiconductor | BZX84C18和BZX84C18LT3G的区别 |