
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.5 W
测试电流 2 mA
稳压值 68 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
封装 SOD-80
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 71.7 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV55-C68,135 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 68V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV55-C68,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO-213AC | 当前型号 | Mini-MELF 68V 0.5W1/2W | 当前型号 | |
型号: BZV55-C68,115 品牌: 恩智浦 封装: Mini-MELF | 完全替代 | Mini-MELF 68V 0.5W1/2W | BZV55-C68,135和BZV55-C68,115的区别 | |
型号: TZMC68-GS08 品牌: 威世 封装: SOD-80 68V | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 SMT 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor | BZV55-C68,135和TZMC68-GS08的区别 | |
型号: BZV55-C68 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Zener Diode, 68V VZ, 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | BZV55-C68,135和BZV55-C68的区别 |