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BC807-16W,135

BC807-16W,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC807-16W,135中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC807-16W,135引脚图与封装图
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在线购买BC807-16W,135
型号 制造商 描述 购买
BC807-16W,135 NXP 恩智浦 SC-70 PNP 45V 0.5A 搜索库存
替代型号BC807-16W,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC807-16W,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 PNP 200mW

当前型号

SC-70 PNP 45V 0.5A

当前型号

型号: BC807W,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 PNP 0.2W

完全替代

NXP  BC807W,115  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 100 hFE

BC807-16W,135和BC807W,115的区别

型号: BC807-16W,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 PNP 200mW

类似代替

SC-70 PNP 45V 0.5A

BC807-16W,135和BC807-16W,115的区别

型号: BC807-16W

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 PNP

类似代替

NXP  BC807-16W  晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新

BC807-16W,135和BC807-16W的区别