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BCR166E6433HTMA1

BCR166E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3


立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3


BCR166E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 160 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR166E6433HTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR166E6433HTMA1
型号 制造商 描述 购买
BCR166E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 1个PNP-预偏置 100mA 50V 搜索库存
替代型号BCR166E6433HTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR166E6433HTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

当前型号

1个PNP-预偏置 100mA 50V

当前型号

型号: BCR166E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

类似代替

Infineon BCR166E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

BCR166E6433HTMA1和BCR166E6327HTSA1的区别

型号: DDTA143TCA-7

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA

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品牌: 松下

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