额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 160 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCR166E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 1个PNP-预偏置 100mA 50V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCR166E6433HTMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW | 当前型号 | 1个PNP-预偏置 100mA 50V | 当前型号 | |
型号: BCR166E6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW | 类似代替 | Infineon BCR166E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装 | BCR166E6433HTMA1和BCR166E6327HTSA1的区别 | |
型号: DDTA143TCA-7 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA | 功能相似 | TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT23-3 | BCR166E6433HTMA1和DDTA143TCA-7的区别 | |
型号: UNR211N00L 品牌: 松下 封装: TO-236 PNP -50V -100mA | 功能相似 | Mini3-G1 PNP 50V 100mA | BCR166E6433HTMA1和UNR211N00L的区别 |