BAT42 R0

Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 分立器件

1A，Taiwan Semiconductor低功率损耗低正向压降高电流容量 ### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

肖特基势垒，最大 1A，

低功率损耗

低正向压降

高电流容量

欧时:
肖特基势垒二极管，最大 1A，Taiwan Semiconductor低功率损耗低正向压降高电流容量### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

得捷:
DIODE SCHOTTKY DO-35

贸泽:
肖特基二极管与整流器 Schottky 200mW

艾睿:
Diode Small Signal Schottky 30V 0.2A 2-Pin DO-35

TME:
Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 200mA; 5ns; 200mW; DO35

BAT42 R0中文资料参数规格

技术参数

反向恢复时间 5 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm） 4 A

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 2.1 mm

高度 2.1 mm

封装 DO-35-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BAT42 R0引脚图与封装图

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