BZV55C9V1 L1
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
电子元器件分类
BZV55C9V1 L1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
外形尺寸
封装 SOD-80
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BZV55C9V1 L1引脚图与封装图
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在线购买BZV55C9V1 L1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55C9V1 L1 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W1/2W 2Pin Mini-MELF T/R | 搜索库存 |
替代型号BZV55C9V1 L1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55C9V1 L1 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： | 当前型号 | Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W1/2W 2Pin Mini-MELF T/R | 当前型号 |
| 型号： BZV55-C10,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C | 功能相似 | NXP BZV55-C10,115 单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZV55C9V1 L1和BZV55-C10,115的区别 |