BZX55C2V4-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
额定功率 0.5 W
击穿电压 2.56 V
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 2.4 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX55C2V4-TAP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C2V4-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | 齐纳二极管 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |