BZV55C4V7 L1
数据手册.pdf
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
BZV55C4V7 L1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 4.7 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 LL-34-2
外形尺寸
长度 3.7 mm
封装 LL-34-2
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55C4V7 L1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZV55C4V7 L1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55C4V7 L1 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 稳压二极管 4.7 Volt 500mW 5% | 搜索库存 |
替代型号BZV55C4V7 L1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55C4V7 L1 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： Cut | 当前型号 | 稳压二极管 4.7 Volt 500mW 5% | 当前型号 |
| 型号： BZV55-C5V6,115 品牌： 恩智浦 封装： Mini-MELF | 功能相似 | 500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | BZV55C4V7 L1和BZV55-C5V6,115的区别 |
| 型号： BZV55-C4V7,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C | 功能相似 | NXP BZV55-C4V7,115 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZV55C4V7 L1和BZV55-C4V7,115的区别 |