
频率 250 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 330 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847CE6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BC847CE6433HTMA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847CE6433HTMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 330mW | 当前型号 | Infineon BC847CE6433HTMA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装 | 当前型号 | |
型号: BC 847C B5003 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 45V 100mA | 完全替代 | TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 | BC847CE6433HTMA1和BC 847C B5003的区别 | |
型号: BC847CE6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 330mW | 类似代替 | Infineon BC847CE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BC847CE6433HTMA1和BC847CE6327HTSA1的区别 | |
型号: BC850CE6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 0.33W | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BC847CE6433HTMA1和BC850CE6327HTSA1的区别 |