BZX55C5V6 R0
数据手册.pdf
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
BZX55C5V6 R0中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 5.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
长度 3.7 mm
封装 DO-35
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BZX55C5V6 R0引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZX55C5V6 R0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C5V6 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 500mW，BZX55C 系列，Taiwan Semiconductor ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号BZX55C5V6 R0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C5V6 R0 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： DO-35 | 当前型号 | 500mW，BZX55C 系列，Taiwan Semiconductor### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： BZX55C5V6-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 6V | 类似代替 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | BZX55C5V6 R0和BZX55C5V6-TAP的区别 |