频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847AW,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847AW,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT323 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC847AW,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 完全替代 | 小信号 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | BC847AW,135和BC847AW,115的区别 | |
型号: BC847W,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 类似代替 | NXP BC847W,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE | BC847AW,135和BC847W,115的区别 | |
型号: BC847BTT1G 品牌: 安森美 封装: SC-75 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BTT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE | BC847AW,135和BC847BTT1G的区别 |