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BZX79C12 R0

BZX79C12 R0

数据手册.pdf
Taiwan Semiconductor 台湾半导体 电子元器件分类
BZX79C12 R0中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 12 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

BZX79C12 R0引脚图与封装图
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在线购买BZX79C12 R0
型号 制造商 描述 购买
BZX79C12 R0 Taiwan Semiconductor 台湾半导体 Diode Zener Single 12V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R 搜索库存
替代型号BZX79C12 R0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZX79C12 R0

品牌: Taiwan Semiconductor 台湾半导体

封装:

当前型号

Diode Zener Single 12V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R

当前型号

型号: BZX79-C13,133

品牌: 恩智浦

封装: DO-204AH

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