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BC846BW,135

BC846BW,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC846BW,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC846BW,135引脚图与封装图
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在线购买BC846BW,135
型号 制造商 描述 购买
BC846BW,135 NXP 恩智浦 SC-70 NPN 65V 0.1A 搜索库存
替代型号BC846BW,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC846BW,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 NPN 200mW

当前型号

SC-70 NPN 65V 0.1A

当前型号

型号: BC846BW,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 NPN 0.2W

完全替代

NXP  BC846BW,115  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

BC846BW,135和BC846BW,115的区别

型号: BC846BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE

BC846BW,135和BC846BLT1G的区别