
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC846BW,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 65V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC846BW,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 65V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC846BW,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-323 NPN 0.2W | 完全替代 | NXP BC846BW,115 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE | BC846BW,135和BC846BW,115的区别 | |
型号: BC846BLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE | BC846BW,135和BC846BLT1G的区别 |